STGW80H65DFB
الصانع:
STMيكروإلكترونيات
الوصف:
ترانزستورات IGBT Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
250 غ
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية:
120 أ
Pd - تبديد القوة:
469 وات
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
650 فولت
الحزمة / الحقيبة:
TO-247-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 175 ج
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
20 فولت
التعبئة:
أنبوب
التكوين:
العازب
جامع باعث تشبع الجهد:
1.6 فولت
المصنع:
STMيكروإلكترونيات
مقدمة
STGW80H65DFB،من STMicroelectronics، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
STGW40H120F2
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
|
|
|
STGW40H120F2 |
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ:
