المرشحات
المرشحات
موسفيت
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK64N50P |
موسفيت 500 فولت 64 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPP80N08S2L-07 |
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 أوبتيموس
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPD85P04P4-07 |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI9407BDY-T1-E3 |
موسفيت 60 فولت 4.7 أمبير 5.0 وات 120 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMG4435SSS-13 |
موسفيت موسفيت، قناة P
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IPLU300N04S4-R8 |
موسفيت N-قناة 30/40 فولت
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FQB8P10TM |
MOSFET 100V P-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDG6301N |
موسفيت SC70-6 N-CH 25 فولت
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMG1013UW-7 |
MOSFET P-Ch -20V VDSS Mosfet المحسن
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IPP60R125CP |
موسفيت N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW65R110CFDA |
موسفيت N-Ch 650 فولت 31.2 أمبير TO247-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDD7N60NZTM |
موسفيت N-قناة 600 فولت 5.5 أمبير
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS6676AS |
MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS6982AS |
موسفيت SO-8 N-CH 1&2 30V
|
واحد
|
|
|
|
|
|
HUF76609D3ST |
MOSFET 10a 100V 0.165 أوم 1Ch HS بوابة المنطق
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
RFD14N05LSM |
MOSFET TO-252AA N-Ch الطاقة
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIA931DJ-T1-GE3 |
MOSFET -30 فولت، 65 مللي أوم@-10 فولت -4.5 أمبير، P-CH
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIS892DN-T1-GE3 |
موسفيت 100 فولت 30 أمبير 43 وات 29 موهم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXTK210P10T |
MOSFET TrenchP Power MOSFETs
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPG20N06S4L-26 |
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
108,215 ب.س.ح |
موسفيت تاب 7 PWR-MO
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
IPB180P04P4L-02 |
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 8.0 أمبير 5.0 وات 29 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
NTD5865NLT4G |
موسفيت مفرد N-CH 60V 40A
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI1034CX-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت .61 أمبير .22 وات
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI7288DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 20A DUAL N-CH MOSFET
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BSS84DW-7-F |
موسفيت 2P-CH 50 فولت 0.13 أمبير SC70-6
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMN601DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
BSS8402DW-7-F |
MOSFET N / P-CH 60V / 50V SC70-6
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDMA2002NZ |
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMA1032CZ |
MOSFET N / P-CH 20 فولت ميكروفيت 2 × 2
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDS8949 |
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FQS4901TF |
MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDS8984 |
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRF7501TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A مايكرو 8
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
DMP6050SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDS9933A |
موسفيت 2P-CH 20 فولت 3.8 أمبير 8 سويس
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDS8960C |
موسفيت N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NVMFD5C650NLT1G |
موسفيت 2N-CH 60 فولت 111A S08FL
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDC6301N |
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMN6040SSD-13 |
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDS3890 |
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMQ8203 |
موسفيت 2N/2P-CH 100 فولت/80 فولت 12-MLP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMP2200UDW-7 |
موسفيت 2P-CH 20 فولت 0.9 أمبير SOT363
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMG6602SVTQ-7 |
موسفيت N / P-CH 30V TSOT26.5
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDG6304P |
موسفيت 2P-CH 25 فولت 0.41 أمبير SC70-6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMC3028LSD-13 |
MOSFET N / P-CH 30V 6.6A / 6.8A 8SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMC2038LVTQ-7 |
موسفيت بفدس: 8 فولت 24 فولت TSOT26
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMN26D0UFB4-7 |
موسفيت N-CH 20 فولت 230 مللي أمبير DFN
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMG3420U-7 |
موسفيت N-CH 20V 5.47A SOT23
|
الديودات المدمجة
|
|
|