المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPT004N03L |
موسفيت MV باور موس
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 6.6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDD8874 |
MOSFET 30V PowerTrench N-Channel
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRF520PBF |
موسفيت ان تشان 100 فولت 9.2 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BSC097N06NS |
موسفيت N-Ch 60V 46A TDSON-8
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
سي4410BDY-T1-E3 |
موسفيت 30 فولت 10 أمبير 2.5 وات
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI1869DH-T1-E3 |
مفتاح تحميل MOSFET 1.8V RA مع تغيير المستوى
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
بي إس إس 84,215 |
موسفيت P-CH DMOS 50 فولت 130 مللي أمبير
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
IPW60R041C6 |
موسفيت N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BSG0811ND |
دوائر MOSFET المتمايزة
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW65R045C7 |
موسفيت N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDS4435BZ |
موسفيت P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDP20N50 |
موسفيت N-CH 500V 20A TO-220
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRFP4868PBF |
موسفيت N-CH 300 فولت 70 أمبير TO-247AC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
2SA1244-Y |
ترانزستورات الطاقة السيليكونية PNP
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
SPP20N60CFD |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS CFD
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
STB35N65M5 |
موسفيت باور موسفيت N-CH 650 فولت
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IXFN44N60 |
موسفيت 44 أمبير 600 فولت
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFN180N20 |
موسفيت 200 فولت 180 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
سليكونيكس / فيشاي
|
|
|
|
|
|
IXFP14N60P |
موسفيت 600 فولت 14 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FQA24N50 |
MOSFET 500V N-قناة QFET
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BSS84-7-F |
موسفيت -50 فولت 250 ميجاوات
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SIS862DN-T1-GE3 |
MOSFET 60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
2N7002DW |
التأثير الميداني لوضع تحسين MOSFET N-Chan
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت 0.7/-0.5
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDP075N15A_F102 |
MOSFET 150V NChan PwrTrench
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
NCV8402ASTT1G |
موسفيت 42 فولت 2.0 أمبير
|
واحد
|
|
|
|
|
|
أبت14M100B |
موسفيت قوة موسفيت - MOS8
|
ميكرو سيمي
|
|
|
|
|
|
DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
NX7002BKSX |
MOSFET 60V، MOSFET مزدوج القناة N
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
IPW65R150CFDA |
موسفيت N-Ch 650 فولت 22.4 أمبير TO247-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
التاسعFH30N60P |
موسفيت 600 فولت 30 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
التاسع20P50P |
موسفيت -20.0 أمبير -500 فولت 0.450 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTA96P085T |
موسفيت -96 أمبير -85 فولت 0.013 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
NX3008NBKS،115 |
MOSFET 30V 350 MA ثنائي N-CH TRENCH MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
FDPF20N50 |
موسفيت 500 فولت N-CH موسفيت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQA28N15 |
MOSFET 150V N-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI4288DY-T1-GE3 |
موسفيت 40 فولت 9.2 أمبير 3.1 واط
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQP12P10 |
MOSFET 100V P-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI4401DDY-T1-GE3 |
موسفيت 40 فولت 16.1 أمبير P-CH موسفيت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS6912A |
موسفيت SO-8 ثنائي N-CH 30 فولت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
2N7002KT1G |
موسفيت NFET SOT23 60 فولت 380 مللي أمبير 2.5 أوم
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NX7002AK |
MOSFET 60 فولت، MOSFET خندق N-chan فردي
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
SIZ918DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI7998DP-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 25/30 أمبير 93/53 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFBF20PBF |
موسفيت ان تشان 900 فولت 1.7 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI1034X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 أوم @ 4.5V
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPA60R190P6 |
موسفيت عالية الطاقة_PRC/PRFRM
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|