المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
25AA02E48T-I / OT |
إي سي إيبروم 2K SPI 10 ميجا هرتز SOT23-6
|
تكنولوجيا الرقائق
|
|
|
|
|
|
M29W160ET70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
إيك فلاش 8 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
إيك فلاش 16 متر SPI 133 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q16FWSSIQ |
إيك فلاش 16 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS61LV25616AL-10TI |
SRAM 4 ميجابايت 256 كيلو × 16 10ns غير متزامن SRAM 3.3 فولت
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT47H128M16RT-25E: ج |
IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-12JL |
SRAM 1 ميجابايت 128Kx8 12ns 3.3 فولت غير متزامن SRAM 3.3 فولت
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS62WV1288DBLL-45HLI |
SRAM 1 ميجابايت 45ns 128Kx8 غير متزامن SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
JS28F320J3D75 |
IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
PC28F256J3F95A |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W9812G6KH-6 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q16JVSNIQ |
إيك فلاش 16 متر SPI 133 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W9812G6IH-6 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q128JVEIQ |
إيك فلاش 128 متر SPI 133 ميجا هرتز 8WSON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
JS28F00AM29EWHA |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q128FWPIG |
إيك فلاش 128 متر SPI 104 ميجا هرتز 8WSON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
JS28F512P33EFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP (أجهزة التحكم في المعلومات)
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN3TPB |
إيك فلاش 16 متر SPI 75 ميجا هرتز 8SO
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q16BVSFIG |
إيك فلاش 16 متر SPI 104 ميجا هرتز 16 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ADADAH4-IT: د |
إيك فلاش 8G الموازي 63VFBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16HA-15E:د |
IC DRAM 2G بالتوازي 96FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41J128M8JP-15E: G |
IC DRAM 1G بالتوازي 78FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W9725G6KB-25 |
IC DRAM 256M بالتوازي 84WBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q20EWSNIG |
إيك فلاش 2 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABABAWP: ب |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W9751G8KB-25 |
IC DRAM 512M متوازي 60WBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W631GU6MB12I |
IC SDRAM 1 جيجابايت 800 ميجاهرتز 96BGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q16FWZPIQ |
إيك فلاش 16 متر SPI 104 ميجا هرتز 8WSON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q64FWSSIQ |
إيك فلاش 64 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
RC28F256J3C125 |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q256JVFIQ |
إيك فلاش 256 م SPI 133 ميجا هرتز 16 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
IC FLASH 128M PARALLEL 64LBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABADAWP-IT: د |
اي سي فلاش 4G بالتوازي 48TSOP I
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
فلاش IC 128M موازي 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M25P32-VME6G |
IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8VDFPN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
TE28F128J3D75 |
فلاش IC 128M موازي 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
PC28F256P30TFE |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
JS28F640J3D75 |
فلاش IC 64M موازي 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2P-7E:د |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
JS28F256P30TFA |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-75:G |
IC DRAM 64M بالتوازي 54TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
PC28F256P30TFA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
JS28F512M29EWHA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP (أجهزة التحكم في المعلومات)
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
JS28F512P30EFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP (أجهزة التحكم في المعلومات)
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
JS28F256P33BFE |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16TW-107: ص |
اي سي درام 4G متوازي 96FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
CY62167EV30LL-45BVXIT |
SRAM 16 ميجابايت 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
W9751G6KB-25 |
IC DRAM 512M بالتوازي 84WBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q32JVSSIQ |
إيك فلاش 32 متر SPI 133 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|