المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
K4G80325FB-HC25 |
ذاكرة الجرافيك
|
أشباه الموصلات سامسونج
|
|
|
|
|
|
M29DW128G70NF6E |
NOR فلاش متوازي 128 ميجابت 16 56/56
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M، 3.3V، 50ns 1Mx16 EDO DRAM غير متزامن
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-15HBLI |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 4G، 1.35 فولت، 1333 ميجا هرتز DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
S29CD016J0PQAM113 |
ذاكرة فلاش ولا
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
IS43TR16640A-125JBLI |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 1 جيجا، 1.5 فولت، (64 ميجا × 16) 1600 ميجا هرتز DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS41C16100C-50KLI |
DRAM 16M، 5V، 50ns 1Mx16 EDO DRAM غير متزامن
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBLI |
DRAM 2G، 1.5V، 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-125KBLI |
DRAM 2G، 1.5V، 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 4G، 1.5 فولت، 1600 ميجا هرتز DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125 كيلو بايت |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 4G، 1.35 فولت، 1600 ميجا هرتز DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
S29GL128N90FFAR22 |
ذاكرة فلاش ولا
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
(ثي بي بي إم إف جي 6 سي 1 إل بيل) |
ذاكرة فلاش 8 جيجا ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS30 |
ذاكرة فلاش 32 ميجابايت 3 فولت 90ns متوازية ولا فلاش
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
إيبروم 3.3 فولت، 2 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
ذاكرة فلاش 16 جيجابايت NAND EEPROM مع CQ
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
S70FL256P0XMFI001 |
ذاكرة فلاش 256 ميجا ، 3.0 فولت ، 104 ميجا هرتز SPI ولا فلاش
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI041 |
ذاكرة فلاش 16M، 3V، 108Mhz مسلسل ولا فلاش
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
IS25LQ020B-JNLE-TR |
ذاكرة فلاش 2 ميجا بايت QSPI، 8-pin SOP 150Mil، RoHS، ET، T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS25LQ032B-JBLE |
ذاكرة فلاش 32M SPI، 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
إيبروم 3.3 فولت، 2 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
إيبروم 3.3 فولت، 4 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
إيبروم 3.3 فولت، 1 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
S29JL032J70TFI220 |
ذاكرة فلاش 32 ميجا بايت فلاش 3.0 فولت 70 نانوثانية متوازية ولا فلاش
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
ذاكرة فلاش 4G، 1.8 فولت، 45 نانو ناند فلاش
|
التوسع / الصنوبر
|
|
|
|
|
|
S34ML01G200BHV000 |
ذاكرة فلاش ناند
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
ذاكرة فلاش 1 جيجا، 1.8 فولت، 45 نانو ناند فلاش
|
التوسع / الصنوبر
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI023 |
ذاكرة فلاش 32 ميجابايت 2.7-3.6 فولت 90ns متوازية ولا فلاش
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
IS25WP016D-جول-TR |
NOR Flash 16 ميجا بايت QSPI ، 8-pin USON 2X3MM ، RoHS ، T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
إيبروم 3.3 فولت، 2 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
إيبروم 3.3 فولت، 2 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTA00 |
إيبروم 3.3 فولت، 1 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTAI0 |
إيبروم 3.3 فولت، 4 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI-TR |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 4G، 1.5 فولت، 1600 ميجا هرتز DDR3
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-107MBLI |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 4G، 1.5V، 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBL |
DRAM 2G، 1.5V، 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16512AL-125KBL |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR3L,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G، 1.8V، DDR2، 128Mx16، 400Mhz @ CL6، 84 كرة BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS، IT
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBLI |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 4G، 1.35 فولت، 1600 ميجا هرتز DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128B-15HBLA1 |
DRAM للسيارات (Tc: -40 إلى +95C)، 2G، 1.5V، DDR3، 128Mx16، 1333MT/s @ 9-9-9، 96 كرة BGA (9 مم × 13 م
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50TLI |
DRAM 16M، 3.3V، 50ns 1Mx16 EDO DRAM غير متزامن
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128BL-125 كيلو بايت |
DRAM 2G، 1.35V، 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16512AL-125KBLI |
DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16TB-062E: ي |
ذاكرة DRAM DDR4 8G 512Mx16 FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
S29GL512P11FFI020 |
ذاكرة فلاش 512 ميجابايت 3 فولت 110ns متوازية ولا فلاش
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI011 |
ذاكرة فلاش 16M، 3V، 108Mhz مسلسل ولا فلاش
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
ذاكرة فلاش 1 جيجا بايت 3.3 فولت SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TH58NVG4S0FTA20 |
ذاكرة فلاش 3.3 فولت 16 جيجابت ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
DS2432P+T&R |
إيبروم
|
أدي / أجهزة التناظرية
|
|
|