المرشحات
المرشحات
أشباه الموصلات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT41J256M16LY-091G: ن |
IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16HA-125: أ |
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT40A256M16GE-075E:B |
اي سي درام 4G متوازي 96FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
إيبروم 1.8 فولت، 1 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTA00 |
إيبروم 3.3 فولت، 1 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
إيبروم 3.3 فولت، 4 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
إيبروم 3.3 فولت، 2 جيجابت سيموس ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
TC58NVG3S0FTA00 |
ذاكرة فلاش 8 جيجا بايت 3.3 فولت SLC NAND ذاكرة فلاش EEPROM
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B |
IC FLASH 256G مواز 83MHZ
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
IC Flash RAM 4G PARALLEL 533MHZ
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QU512ABB8E12-0SIT |
إيك فلاش 512 متر SPI 133 ميجا هرتز TBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1LPC-0SIT |
فلاش IC 1G متوازي 64LBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT2الشركة |
اي سي فلاش 128 متر SPI 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q64FVSSIQ |
إيك فلاش 64 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q64FVZPIQ |
إيك فلاش 64 متر SPI 104 ميجا هرتز 8WSON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA8ESF-0SIT |
إيك فلاش 256 متر SPI 133 ميجا هرتز 16SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW256ABA1HPN-0SIT |
فلاش IC 256M موازي 56VFBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFA040 |
ذاكرة فلاش ولا
|
نصف موصل سايبرس
|
|
|
|
|
|
MT40A1G8PM-083E: أ |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHz
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT40A1G8SA-075:E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33 GHz
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D |
فلاش IC 64 جيجا متوازي 166 ميجا هرتز
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13ESFA0F |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA1EW9-0SIT |
إيك فلاش 256 متر SPI 133 ميجا هرتز 8WPDFN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW256ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16TW-125: |
IC DRAM 4G موازية 800MHZ
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1LJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
ذاكرة IC DRAM 32 جيجا متوازية 1333 ميجا هرتز
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA8E12-0AAT |
اي سي فلاش 128 متر SPI 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F1G01ABAFDWB-IT: F |
IC FLASH 1G SPI UPDFN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F2G08ABAGAH4-IT: G |
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC فلاش 2G الموازي TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D |
IC FLASH 4G متوازية TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT40A2G8NRE-083E: ب |
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHz
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16LY-062E: إي |
اي سي درام 8 جيجا متوازي 1.6 جيجا هرتز
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT51J256M32HF-70: أ |
ذاكرة IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHz
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAJAECE-AIT |
IC FLASH 512G MMC
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAKAEEF-AIT |
اي سي فلاش 128 جيجا ام ام سي
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT51J256M32HF-80:B |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 8G الموازية 2.0 جيجا هرتز FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC128GAPALNS-AIT |
اي سي فلاش 1T MMC
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC32GAPALBH-AAT |
اي سي فلاش 256 جيجا ام ام سي
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALBH-AAT |
IC FLASH 512G MMC
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC8GAMALNA-AAT |
اي سي فلاش 64 جيجا ام ام سي
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16LY-093: ن |
IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT35XU512ABA1G12-0AUT |
المسلسل ولا 512M MT35X 45NM IT
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
(ثي بي بي إم إف جي 7 سي 1 إل بيل) |
ذاكرة فلاش 16 جيجابايت ناند إيبروم
|
توشيبا
|
|
|