المرشحات
المرشحات
أشباه الموصلات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS61NLP51236-200B3LI |
SRAM 18 ميجا بايت 512 كيلو × 36 200 ميجا هرتز مزامنة SRAM 3.3 فولت
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
EL5364IUZA |
مكبرات الصوت التشغيلية عالية السرعة EL5364IUZA TRPL 850 MHZ CFAW ENABLE
|
إنترسيل
|
|
|
|
|
|
IS61LPS51236A-200TQLI |
SRAM 18 ميجا بايت 512 كيلو × 36 200 ميجا هرتز مزامنة SRAM 3.3 فولت
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS62WV10248DBLL-55TLI |
SRAM 8M (1Mx8) 55ns غير متزامن SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
EL5364ISZ |
مكبرات الصوت التشغيلية عالية السرعة EL5364ISZ TRPL 850 MHZ CFAW ENABLE
|
إنترسيل
|
|
|
|
|
|
W25X40CLS |
إيك فلاش 4 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
إيك فلاش 64 متر SPI 133 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
CAT24C04WI-GT3 |
إي سي إيبروم 4K I2C 400 كيلو هرتز 8 سويش
|
واحد
|
|
|
|
|
|
EL5462ISZ-T13 |
مكبرات الصوت التشغيلية عالية السرعة EL5462ISZ 300 ميجا هرتز LW PWR CUR FEDBACK AMP
|
إنترسيل
|
|
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M بالتوازي 84WBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
إيك فلاش 256 متر SPI 133 ميجا هرتز 16SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M29W160EB70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M29W320EB70N6E |
فلاش IC 32M موازي 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M32B2TG-7:G |
IC DRAM 128M بالتوازي 86TSOP II
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
NCV2903DR2G |
مقارنات تناظرية 2-36 فولت درجة حرارة مزدوجة ممتدة
|
واحد
|
|
|
|
|
|
KA2803B |
المقارنات التناظرية كاشف تسرب الأرض
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BA10393F-E2 |
المقارنات التناظرية المقارنة المزدوجة
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
IC فلاش 64M SPI 50MHZ 16SO ث
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
LM293DR |
المقارنات التناظرية التفاضلية المزدوجة
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
LM339DR2G |
مقارنات تناظرية 3-36 فولت Qud Comparator درجة الحرارة التجارية
|
واحد
|
|
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M بالتوازي 84WBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
LM219DT |
مقارنات تناظرية ذات جهد مزدوج عالي السرعة
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
المقارنات التناظرية التفاضلية المزدوجة
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
JS28F640J3D75A |
فلاش IC 64M موازي 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
JS28F128J3D75A |
فلاش IC 128M موازي 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
LM2903DR2G |
مقارنات تناظرية 2-36 فولت مزدوج -40 إلى 105 درجة مئوية
|
واحد
|
|
|
|
|
|
LM2903TH-13 |
المقارنات التناظرية المقارنة
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6TP |
إيك فلاش 16 متر SPI 75 ميجا هرتز 8SO
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
NCS2200SQ2T2G |
مقارنات تناظرية 0.85-6 فولت مقارن CMOS فردي
|
واحد
|
|
|
|
|
|
LM2903DMR2G |
مقارنات تناظرية 2-36 فولت مزدوج -40 إلى 105 درجة مئوية
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NCV2393DR2G |
المقارنات التناظرية مقارنة الطاقة المنخفضة
|
واحد
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
المقارنات التناظرية فرق مزدوج
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
LM339DR |
المقارنات التناظرية رباعية التفاضلية
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
MCP65R46T-2402E / CHY |
مقارنات تناظرية مقارن استنزاف مفتوح واحد 2.4 فولت المرجع
|
تكنولوجيا الرقائق
|
|
|
|
|
|
M25P40-VMN6TPB |
إيك فلاش 4 متر SPI 75 ميجا هرتز 8SO
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
LM2903DR |
المقارنات التناظرية Dual Diff Ind Temp
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
IS66WVE4M16ALL-70BLI |
SRAM 64 ميجابايت 70ns1.7-1.95v 4M x 16 SRAM زائفة
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08AFABAWP-IT:B |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
TPS3700DDCR |
شركات نافذة المقارنات التناظرية لـ Over & Under Vltg Det
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
JS28F128P30BF75A |
فلاش IC 128M موازي 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-25E:H |
IC DRAM 1G بالتوازي 84FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBABAWP: ب |
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
IS61LV12816L-10BI |
SRAM 2 ميجابايت 128 كيلو × 16 10ns غير متزامن SRAM 3.3 فولت
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS62WV25616BLL-55TI |
SRAM 4Mb 256Kx16 55ns غير متزامن SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M16A2P-75: ج |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
IS61WV102416BLL-10MI |
SRAM 16M 3.3V 10ns 1M x 16 غير متزامن SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TI |
SRAM 1 ميجابايت 64Kx16 10ns غير متزامن SRAM 3.3 فولت
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LF51236A-7.5TQLI |
SRAM 18 ميجا بايت 512 كيلو × 36 7.5ns مزامنة SRAM 3.3 فولت
|
ISSI
|
|
|