المنزل

المنتجات

مصنعين

حولنا

أرسل RFQ

المنزل > المنتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > المواد المستخدمة في المنتجات

المواد المستخدمة في المنتجات

Name: المواد المستخدمة في المنتجات
Brand: المواد المستخدمة في المنتجات
SKU: المواد المستخدمة في المنتجات
Rating: 4.7 (184 reviews)

الصانع:

إن إكس بي أمريكا إينك

الوصف:

PSMN021-100YL - N-CHANNEL 100V,

الفئة:

منتجات أشباه الموصلات المنفصلة

المواصفات

الفئة:

منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، FETs المفردة، MOSFETs

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

65.6 nC @ 10 V

حالة المنتج:

نشط

Mounting Type:

Surface Mount

Package:

Bulk

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

4640 pF @ 25 V

Series:

Vgs (Max):

±20V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.1V @ 1mA

Supplier Device Package:

LFPAK56, Power-SO8

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

21.5mOhm @ 15A, 10V

Mfr:

NXP USA Inc.

Operating Temperature:

-55°C ~ 175°C (TJ)

FET Type:

N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

5V, 10V

Power Dissipation (Max):

147W (Tc)

Package / Case:

SC-100, SOT-669

Drain to Source Voltage (Vdss):

100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

49A (Tc)

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

FET Feature:

مقدمة

القناة الشمالية 100 فولت 49A (Tc) 147W (Tc) جبل السطح LFPAK56 ، Power-SO8

منتجات ذات صلة