FQB33N10LTM
الصانع:
واحد
الوصف:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / الحقيبة:
TO-263-3 ، D²Pak (2 يؤدي + علامة تبويب) ، TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 5 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
52 مللي أوم عند 16.5 أمبير، 10 فولت
FET Type:
N-Channel
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
5 فولت ، 10 فولت
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
100 فولت
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1630 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.75W (Ta), 127W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQB33N10
مقدمة
القناة الشمالية 100 فولت 33A (Tc) 3.75W (Ta) ، 127W (Tc) سطح الجسر D2PAK (TO-263)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: