FDMS86103L
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 12A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3710 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
حزمة أجهزة المورد:
8-PQFN (5 × 6)
Mfr:
onsemi
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
12A (تا)، 49A (ح)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
التكنولوجيا:
MOSFET (أكسيد المعادن)
Base Product Number:
FDMS86103
مقدمة
القناة الشمالية 100 فولت 12A (Ta) ، 49A (Tc) 2.5W (Ta) ، 104W (Tc) سطح الصعود 8-PQFN (5x6)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: