RFP50N06
الصانع:
واحد
الوصف:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
ميزة FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
150 نانو سي @ 20 فولت
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
22 مللي أوم @ 50 أمبير ، 10 فولت
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2020 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
131W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RFP50
مقدمة
القناة النائية 60 فولت 50A (Tc) 131W (Tc) من خلال الثقب TO-220-3
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: