المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
43 nC @ 10 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
70 مللي أوم عند 13.5 أمبير، 10 فولت
FET Type:
P-Channel
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
10 فولت
Package:
Tube
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
60 فولت
Vgs (Max):
±25V
حالة المنتج:
نشط
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
27A (Tc)
Power Dissipation (Max):
120W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP27
مقدمة
قناة P 60 V 27A (Tc) 120W (Tc) من خلال الثقب TO-220-3
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: