(جانتكس1إن6622 يو إس)
الصانع:
تكنولوجيا الرقائق
الوصف:
DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
Product Status:
Active
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
500 غ @ 660 فولت
Mounting Type:
Surface Mount
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.4 فولت @ 1.2 أمبير
Package:
Bulk
السلسلة:
عسكري، MIL-PRF-19500/585
Capacitance @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5A
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
660 V
Current - Average Rectified (Io):
2A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N6622
مقدمة
الديود 660 V 2A سطح الدفع D-5A
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: