(إس إس إم 3 جيه 328 آر)
الصانع:
توشيبا أشباه الموصلات والتخزين
الوصف:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
ميزة FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 1mA
درجة حرارة العمل:
150 درجة مئوية (TJ)
Package / Case:
SOT-23-3 Flat Leads
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
12.8 نانو سي @ 4.5 فولت
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
نوع FET:
قناة ف
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
840 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
U-MOSVI
Supplier Device Package:
SOT-23F
Mfr:
Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SSM3J328
مقدمة
قناة P 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) سطح الصعود SOT-23F
Related Products
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
TK8S06K3L ((T6L1,NQ) |
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
|
|
|
|
SSM3J332R، LF |
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: