فمي-1106S
الصانع:
(سانكن إلكتريك أمريكا)
الوصف:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr:
30 µA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.15 V @ 10 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
TO-220F-2L
Reverse Recovery Time (trr):
200 ns
مفر:
(سانكن إلكتريك أمريكا)
Technology:
Standard
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
Package / Case:
TO-220-2 Full Pack
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
600 فولت
Current - Average Rectified (Io):
10A
السرعة:
التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)
مقدمة
الديود 600 V 10A من خلال الثقب TO-220F-2L
Related Products
SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
مرض الحمى القلاعية-G26S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
سارس01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
سارس05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
|
|
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
|
|
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
|
|
مرض الحمى القلاعية-G26S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
سارس01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
|
|
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
|
|
|
سارس05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: