(جانتكس1إن5811 يو إس)
الصانع:
تكنولوجيا الرقائق
الوصف:
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
Product Status:
Active
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
5 ميكرو أمبير عند 150 فولت
Mounting Type:
Surface Mount
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
875 مللي فولت @ 4 أ
Package:
Bulk
السلسلة:
عسكري، MIL-PRF-19500/477
Capacitance @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
B, SQ-MELF
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
SQ-MELF, B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
150 V
Current - Average Rectified (Io):
3A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5811
مقدمة
الديود 150 فولت 3A سطح الصعود B، SQ-MELF
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: