ER3J_R1_00001
الصانع:
(بانجيت إنترناشيونال)
الوصف:
ديود جين PURP 600V 3A SMC
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:
نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
1 ميكرو أمبير @ 600 فولت
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.7 فولت @ 3A
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل®
السلسلة:
-
السعة @ Vr ، F:
45pF @ 4V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:
SMC (DO-214AB)
وقت الاسترداد العكسي (trr):
35 نانوثانية
مفر:
شركة بانجيت الدولية
التكنولوجيا:
المعيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:
DO-214AB ، SMC
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
600 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):
3A
السرعة:
التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:
ER3J
مقدمة
الديود 600 V 3A سطح الصعود SMC (DO-214AB)
منتجات ذات صلة
GS1010FL_R1_00001
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
SVM1045V2_R1_00001
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277
SS10100FL_R1_00001
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
ES1J_R1_00001
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
SS1040FL_R1_00001
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
ES1006FL_R1_00001
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL
1N4148WS_R1_00001
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323
ER2J_R1_00001
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
GS1M_R1_00001
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
SK26_R1_00001
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
GS1010FL_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
|
|
|
|
SVM1045V2_R1_00001 |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277
|
|
|
|
SS10100FL_R1_00001 |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
|
|
|
|
ES1J_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
|
|
|
|
SS1040FL_R1_00001 |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
|
|
|
|
ES1006FL_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL
|
|
|
|
1N4148WS_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323
|
|
|
|
ER2J_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
|
|
|
|
GS1M_R1_00001 |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
|
|
|
|
SK26_R1_00001 |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: