70V261L25PFGI
الصانع:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
الوصف:
IC SRAM 256 كيلو بايت بالتوازي 100TQFP
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
25ns
حزمة أجهزة المورد:
100-TQFP (14 × 14)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
حجم الذاكرة:
256 كيلو بايت
الجهد - الإمدادات:
3 فولت ~ 3.6 فولت
وقت الوصول:
25 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
100-LQFP
منظمة الذاكرة:
16 كيلو × 16
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، غير متزامن
رقم المنتج الأساسي:
70V261
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة IC غير متزامنة 256Kbit متوازية 25 ns 100-TQFP (14x14)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: