70T3509MS133BPGI
الصانع:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
الوصف:
IC SRAM 36 ميجا بايت بار 256 كابجا
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
36 ميغابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
256 كابجا (17 × 17)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
تردد الساعة:
133 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
2.4 فولت ~ 2.6 فولت
وقت الوصول:
4.2 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
256 بغا
منظمة الذاكرة:
1 م × 36
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، متزامن
رقم المنتج الأساسي:
70T3509
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة متزامنة IC 36Mbit موازية 133 MHz 4.2 ns 256-CABGA (17x17)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: