DMG6602SVT-7
الصانع:
الديودات المدمجة
الوصف:
موسفيت N / P-CH 30V TSOT23-6
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
حزمة أجهزة المورد:
TSOT-23-6
فئة المنتج:
موسفيت
مخزون المصنع:
0
الحد الأدنى من الكمية:
3000
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds:
400pF @ 15V
الحزمة / الحقيبة:
SOT-23-6 رفيع ، TSOT-23-6
حالة الجزء:
نشط
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
3.4 أمبير، 2.8 أمبير
التعبئة:
شريط وبكرة (TR)
@ الكمية:
0
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
نوع FET:
N و P- القناة
ميزة FET:
بوابة المستوى المنطقي
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
30 فولت
نوع التثبيت:
جبل السطح
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
13nC @ 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
60 مللي أوم عند 3.1 أمبير، 10 فولت
أقصى القوة:
840 ميجاوات
Vgs (th) (Max) @ Id:
2.3 فولت عند 250 ميكرو أمبير
السلسلة:
-
المصنع:
الديودات المدمجة
مقدمة
الـ DMG6602SVT-7 من شركة الديودز هي MOSFET ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالميةإذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
DMG1012T-7
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
DMG2302UK-7
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMP2008UFG-7
MOSFET 20V P-CH MOSFET
DMP6023LFGQ-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2N7002DW-7-F
MOSFET 60V 200mW
BSS138DW-7-F
MOSFET 50V 200mW
BSS138W-7-F
MOSFET 50V 200mW
DMTH6005LK3Q-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
BSS84-7-F
MOSFET -50V 250mW
DMN61D9UW-7
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
|
|
|
|
DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
|
|
|
|
DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
|
|
|
|
BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
DMTH6005LK3Q-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
|
|
|
|
DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: