W632GU6MB-12
الصانع:
وينبوند للإلكترونيات
الوصف:
IC DRAM 2G بالتوازي 96VFBGA
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
التكنولوجيا:
ذاكرة SDRAM - DDR3
فئة المنتج:
ذاكرة المرحلية
نوع الذاكرة:
متقلب
مخزون المصنع:
0
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
96-VFBGA (13x7.5)
وقت الوصول:
20ns
تنسيق الذاكرة:
درهم
حالة الجزء:
نشط
حجم الذاكرة:
2 جيجا بايت (128 ميجا × 16)
التعبئة:
الصندوق
@ الكمية:
0
درجة حرارة العمل:
0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح)
الحد الأدنى من الكمية:
1
واجهة الذاكرة:
موازي
الحزمة / الحقيبة:
96-VFBGA
نوع التثبيت:
جبل السطح
تردد الساعة:
800 ميجا هرتز
الجهد - الإمدادات:
1.283 فولت ~ 1.45 فولت
السلسلة:
-
المصنع:
وينبوند للإلكترونيات
مقدمة
الـ W632GU6MB-12،من شركة وينبوند الإلكترونية، هي أقراص ذاكرة متكاملة. ما نقدم له أسعار تنافسية في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLS
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLS |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: