W989D6DBGX6I
الصانع:
وينبوند للإلكترونيات
الوصف:
IC DRAM 512M بالتوازي 54VFBGA
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
التكنولوجيا:
SDRAM - موبايل LPSDR
فئة المنتج:
ذاكرة المرحلية
نوع الذاكرة:
متقلب
مخزون المصنع:
0
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
15ns
حزمة أجهزة المورد:
54-VFBGA (8x9)
وقت الوصول:
5ns
تنسيق الذاكرة:
درهم
حالة الجزء:
نشط
حجم الذاكرة:
512 ميجابايت (32 ميجا × 16)
التعبئة:
الصندوق
@ الكمية:
0
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
الحد الأدنى من الكمية:
312
واجهة الذاكرة:
موازي
الحزمة / الحقيبة:
54-TFBGA
نوع التثبيت:
جبل السطح
تردد الساعة:
166 ميجا هرتز
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.95 فولت
السلسلة:
-
المصنع:
وينبوند للإلكترونيات
مقدمة
الـ W989D6DBGX6I،من شركة وينبوند الإلكترونية، هي أقراص ذاكرة IC. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLS
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLS |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: