ناند512W3A2SZA6E
الصانع:
تكنولوجيا الميكرون
الوصف:
IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
التكنولوجيا:
فلاش - ناند
فئة المنتج:
ذاكرة المرحلية
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مخزون المصنع:
0
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
50ns
حزمة أجهزة المورد:
63-VFBGA (9 × 11)
وقت الوصول:
50ns
تنسيق الذاكرة:
فلاش
حالة الجزء:
قديمة
حجم الذاكرة:
512 ميجا بايت (64 ميجا × 8)
التعبئة:
الصندوق
@ الكمية:
0
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
الحد الأدنى من الكمية:
1260
واجهة الذاكرة:
موازي
الحزمة / الحقيبة:
63-TFBGA
نوع التثبيت:
جبل السطح
تردد الساعة:
-
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
السلسلة:
-
المصنع:
تقنية ميكرون
مقدمة
NAND512W3A2SZA6E،من تقنية مايكرون، هي ذاكرة ICs.ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
MT40A512M8RH-083E: ب
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
M29W160EB70N6E
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
M29W320EB70N6E
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
MT25QL128ABA1EW7-0SIT
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
MT48LC4M32B2TG-7:G
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
M25P64-VMF6P
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
JS28F640J3D75A
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
JS28F128J3D75A
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
M25P16-VMN6TP
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
MT40A512M8RH-083E: ب |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
|
|
|
|
M29W160EB70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
M29W320EB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
|
|
|
MT48LC4M32B2TG-7:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
|
|
|
|
JS28F640J3D75A |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
JS28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
M25P16-VMN6TP |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: