THGBMDG5D1LBAIT
الصانع:
توشيبا
الوصف:
ذاكرة فلاش 4 جيجابايت ناند إيبروم
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
فئة المنتج:
ذاكرة متنقله
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
الحزمة / الحقيبة:
FBGA-153
امدادات التيار الكهربائي - ماكس:
3.6 فولت
حجم الذاكرة:
4 غيغابايت
التعبئة:
الصندوق
امدادات التيار الكهربائي - دقيقة:
2.7 فولت
نوع الذاكرة:
ناند
نطاق درجة حرارة العمل:
- 25 درجة مئوية إلى + 85 درجة مئوية
المصنع:
توشيبا
مقدمة
الذاكرة البرقية من شركة توشيبا (THGBMDG5D1LBAIT) ، هي ذاكرة فلاش. ما نقدمها لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
TC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
(ثي بي بي إم إف جي 7 سي 1 إل بيل)
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
TC58NVG2S3ETA
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
(ثبيبميدج5دي1بايل)
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
THGBMHG8C2LBAIL
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
(ثي بي بي إم إف جي 6 سي 1 إل بيل)
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
THGBMHG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TH58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
|
|
(ثي بي بي إم إف جي 7 سي 1 إل بيل) |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S3ETA |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
(ثبيبميدج5دي1بايل) |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG8C2LBAIL |
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
(ثي بي بي إم إف جي 6 سي 1 إل بيل) |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
TH58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: