FGA50N100BNTD2
الصانع:
فيرتشايلد أشباه الموصلات
الوصف:
ترانزستورات IGBT N-ch / 50A 1000V
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
500 غ
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية:
50 أ
Pd - تبديد القوة:
156 وات
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
1000 فولت
الحزمة / الحقيبة:
TO-3PN
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
25 فولت
التعبئة:
أنبوب
التكوين:
العازب
جامع باعث تشبع الجهد:
1.5 فولت
المصنع:
فيرتشايلد أشباه الموصلات
مقدمة
الـ FGA50N100BNTD2، من شركة Fairchild Semiconductor، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
FGH60N60UFDTU
FGH75T65UPD
FGH40N60SMDF
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
|
|
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
|
|
FGH60N60UFDTU |
|
|
|
|
FGH75T65UPD |
|
|
|
|
FGH40N60SMDF |
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: