IKW15T120
المواصفات
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
1200 فولت
الحزمة / الحقيبة:
TO-247-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
+/- 20 فولت
التعبئة:
أنبوب
التكوين:
العازب
المصنع:
تقنيات إنفينيون
مقدمة
IKW15T120 من Infineon Technologies، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products

IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A

IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

AUIRG4PH50S
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
![]() |
IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
![]() |
IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
|
|
![]() |
AUIRG4PH50S |
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: