IXLF19N250A
الصانع:
IXYS
الوصف:
IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; ترانزستورات IGBT ذات الجهد العالي IGBT 2500V؛
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
500 غ
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية:
32 أ
Pd - تبديد القوة:
250 واط
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
2.5 كيلو فولت
الحزمة / الحقيبة:
ISOPLUS i4-PAC-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
+/- 20 فولت
التعبئة:
أنبوب
التكوين:
العازب
جامع باعث تشبع الجهد:
3.2 فولت
المصنع:
إكسيس
مقدمة
الـ IXLF19N250A، من IXYS، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: