IXGH48N60A3D1
المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
100 غ
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
Pd - تبديد القوة:
300 واط
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
600 فولت
الحزمة / الحقيبة:
TO-247AD-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
التعبئة:
أنبوب
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
+/- 20 فولت
جامع باعث تشبع الجهد:
1.18 فولت
المصنع:
إكسيس
مقدمة
IXGH48N60A3D1،من IXYS،هو ترانزستورات IGBT. ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: