IXDR30N120D1
الصانع:
IXYS
الوصف:
ترانزستورات IGBT 30 أمبير 1200 فولت
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
500 غ
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية:
50 أ
Pd - تبديد القوة:
200 واط
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
1.2 كيلو فولت
الحزمة / الحقيبة:
ISOPLUS247-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
+/- 20 فولت
التعبئة:
أنبوب
التكوين:
العازب
جامع باعث تشبع الجهد:
2.4 فولت
المصنع:
إكسيس
مقدمة
الـ IXDR30N120D1 من IXYS، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: