BPW34S
الصانع:
قسم فيشاي للشاشات النظرية
الوصف:
فوتوديود 870 إلى 1050 نانومتر
الفئة:
أجهزة استشعار، محولات
المواصفات
الفئة:
أجهزة الاستشعار، محولات الطاقة، أجهزة الاستشعار الضوئية، الثنائيات الضوئية
النطاق الطيفي:
430 نانومتر ~ 1100 نانومتر
المنطقة النشطة:
7.5 ملم²
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
من خلال الثقب
اللون - محسن:
-
الحزمة:
أنبوب
السلسلة:
-
الحالي - داكن (الطباع):
2nA
زاوية الرؤية:
130 درجة
مفر:
قسم البصريات فيشاي أشباه الموصلات
طول الموجة:
900nm
الحزمة / الحقيبة:
2-ديب
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
60 فولت
وقت الاستجابة:
-
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية
الاستجابة @ نانومتر:
-
رقم المنتج الأساسي:
BPW34
نوع الصمام الثنائي:
دبوس
مقدمة
ثنائي الصور 900nm 130° 2-DIP
منتجات ذات صلة
TEMD5510FX01
SENSOR PHOTODIODE 540NM SMD
BPW21R
SENSOR PHOTODIODE 565NM RADIAL
BPW20RF
SENSOR PHOTODIODE 920NM RADIAL
BPW41N
PHOTODIODE 790 TO 1050 NM
VEMD8081
PHOTO PIN DIODE
BPW24R
PHOTODIODE 790 TO 1050 NM
BPW34
PHOTODIODE 790 TO 1050 NM
VEMD8080
PHOTODIODE 780 TO 1050 NM
VBPW34S
PHOTODIODE 780 TO 1050 NM
TEMD6200FX01
SENSOR PHOTODIODE 540NM 0805
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
TEMD5510FX01 |
SENSOR PHOTODIODE 540NM SMD
|
|
|
|
BPW21R |
SENSOR PHOTODIODE 565NM RADIAL
|
|
|
|
BPW20RF |
SENSOR PHOTODIODE 920NM RADIAL
|
|
|
|
BPW41N |
PHOTODIODE 790 TO 1050 NM
|
|
|
|
VEMD8081 |
PHOTO PIN DIODE
|
|
|
|
BPW24R |
PHOTODIODE 790 TO 1050 NM
|
|
|
|
BPW34 |
PHOTODIODE 790 TO 1050 NM
|
|
|
|
VEMD8080 |
PHOTODIODE 780 TO 1050 NM
|
|
|
|
VBPW34S |
PHOTODIODE 780 TO 1050 NM
|
|
|
|
TEMD6200FX01 |
SENSOR PHOTODIODE 540NM 0805
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: