UMZ1N
الصانع:
تكنولوجيا يانججي
الوصف:
SOT-363 NPN + PNP 0.2 واط 0.15 أمبير 60 -6
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائي القطب (BJT) مصفوفات الترانزستور ثنائي القطب
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
150mA
حالة المنتج:
نشط
نوع الترانزستور:
إن بي إن، بي إن بي
نوع التثبيت:
جبل السطح
التردد - الانتقال:
180 ميجا هرتز، 140 ميجا هرتز
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
400 مللي فولت عند 5 مللي أمبير، 50 مللي أمبير/500 مللي فولت عند 5 مللي أمبير، 50 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
50 فولت
حزمة أجهزة المورد:
سوت -363
مفر:
تكنولوجيا يانججي
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
100nA (ICBO)
أقصى القوة:
150 ميجاوات
الحزمة / الحقيبة:
6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
120 @ 1 مللي أمبير، 6 فولت
رقم المنتج الأساسي:
UMZ1
مقدمة
الترانزستور ثنائي القطب (BJT) NPN ، PNP 50V 150mA 180MHz ، 140MHz 150mW سطح الصعود SOT-363
منتجات ذات صلة
BC857BV
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
BC856BS
SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V
BC846BS
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr
BC847BS
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
BC857BV |
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
|
|
|
|
BC856BS |
SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V
|
|
|
|
BC846BS |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr
|
|
|
|
BC847BS |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: