المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
100 غ
فئة المنتج:
وحدات IGBT
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية:
150 أ
Pd - تبديد القوة:
790 واط
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
1200 فولت
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
التعبئة:
الحمولة
التكوين:
مزدوج
جامع باعث تشبع الجهد:
1.75 فولت
المنتج:
وحدات السيليكون IGBT
المصنع:
تقنيات إنفينيون
مقدمة
FF150R12RT4،من Infineon Technologies، هي وحدات IGBT. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: