K4T51163QI-HCE7
الصانع:
أشباه الموصلات سامسونج
الوصف:
ذاكرة الوصول العشوائي DDR2 SDRAM بسعة 512 ميجابايت
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
الحزمة:
بغا
فئة المنتج:
أشباه الموصلات - الدوائر المتكاملة - الدوائر المتكاملة
المصنع:
أشباه الموصلات سامسونج
مقدمة
K4T51163QI-HCE7من شركة سامسونج للشاشات نصف الموصلات هي أجهزة نصف الموصلات للدوائر المتكاملةإذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
K4S561632H-UC75
SDRAM Product Guide
K4S511632D-UC75
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8
1Gb E-die DDR2 SDRAM
K9F1G08U0B-PCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-PIB0
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4S561632N-LC75
K9F1G08U0D-SCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9WBG08U1M-PIB0
K9WAG08U1A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0C-SIB0
2Gb C-die NAND Flash
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
K4S561632H-UC75 |
SDRAM Product Guide
|
|
|
|
K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
K9F1G08U0B-PCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F5608U0D-PIB0 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S561632N-LC75 |
|
|
|
|
K9F1G08U0D-SCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9WBG08U1M-PIB0 |
|
|
|
|
K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F2G08U0C-SIB0 |
2Gb C-die NAND Flash
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: