DTD114EKT146
الصانع:
سيمي الموصلات
الوصف:
ترانس بريبياس NPN 200 ميجاوات SMT3
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائية القطب (BJT) الترانزستورات الثنائية القطبية الأحا
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
500 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع الترانزستور:
NPN - منحازة مسبقًا
التردد - الانتقال:
200 ميغاهرتز
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل®
السلسلة:
-
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
300 مللي فولت @ 2.5 مللي أمبير ، 50 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
50 فولت
حزمة أجهزة المورد:
سمت3
المقاوم - القاعدة (R1):
10 كيلو أوم
مفر:
سيمي الموصلات
المقاوم - قاعدة الباعث (R2):
10 كيلو أوم
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
500nA
أقصى القوة:
200 ميغاواط
الحزمة / الحقيبة:
TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
56 @ 50 مللي أمبير، 5 فولت
رقم المنتج الأساسي:
DTD114
مقدمة
ترانزستور ثنائي القطب المتحيز مسبقًا (BJT) NPN - 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW المتحيز مسبقًا SMT3
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: